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规格书 |
IP(B,I,P)08CNE8N G |
文档 |
Multiple Devices 11/Dec/2009 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 85V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 95A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 6.4 mOhm @ 95A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 130µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 99nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 6690pF @ 40V |
功率 - 最大 | 167W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
包装材料 | Tube |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 95A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 130µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 85V |
标准包装 | 500 |
供应商设备封装 | TO-220-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 6.4 mOhm @ 95A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 167W |
封装/外壳 | TO-220-3 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 6690pF @ 40V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 99nC @ 10V |
安装风格 | Through Hole |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
配置 | Single |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 95 A |
RDS(ON) | 6.4 mOhms |
功率耗散 | 167 W |
最低工作温度 | - 55 C |
典型关闭延迟时间 | 26 ns |
零件号别名 | IPP08CNE8NGXK |
上升时间 | 24 ns |
最高工作温度 | + 175 C |
漏源击穿电压 | 85 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 6 ns |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 95A (Tc) |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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